（填空题）
缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
正确答案
等离子体增强化学气相淀积；低压化学气相淀积；常压化学气相淀积
答案解析
略
相似试题
（判断题）
LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
（填空题）
PECVD所采用的等离子种类有（）。
（简答题）
简述低压CVD系统（LPCVD）的优缺点。
（判断题）
LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
（判断题）
与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。
（判断题）
LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。
（单选题）
立即威胁生命健康浓度的缩略语是（）。
（单选题）
在寻址缩略语中，以下哪个缩略语代表双寻址操作数，且从DB上读取？（）
（填空题）
选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。
