反应速度限制为主、温度控制要求高。
优点：膜致密、颗粒少，硅片可密集摆放，台阶覆盖较好（主要决定于反应气体）。
缺点：速度较慢。
（简答题）
简述低压CVD系统（LPCVD）的优缺点。
正确答案
答案解析
略
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（判断题）
LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
（填空题）
目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。
（简答题）
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