根据曝光方式不同光学光刻机主要分为三种：接触式，接近式，投影式。接触式：接触式光刻机是最简单的光刻机，曝光时，掩模压在涂有光刻胶的晶圆片上。主要优点：设备简单，分辨率高，没有衍射效应主要缺点：掩模版与涂有光刻胶的晶圆片直接接触，每次接触都会在晶圆片和掩模版上产生缺陷，降低掩模版使用寿命，成品率低，不适合大规模生产。接触式光刻机一般仅限用于能容忍较高缺陷水平的器件研究或其他方面的应用。接近式：接近式光刻机是掩模版同光刻胶间隔10～50μm，所以缺陷大大减少。主要优点：避免晶圆片与掩模直接接触，缺陷少。主要缺点：分辨率下降，存在衍射效应。
投影式：现今硅片光学曝光最主要的方法是投影式曝光。一般光学系统将光刻版上的图像缩小4x或5x倍，聚焦并与硅片上已有的图形对准后曝光，每次曝光一小部分，曝完一个图形后，硅片移动到下一个曝光位置继续对准曝光。主要优点：有接触式的分辨率，但不产生缺陷常用投影光刻机系统的类型有扫描光刻机、分步重复光刻机和扫描分步重复光刻机等。
（简答题）
根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
（填空题）
光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。
（判断题）
光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）
（简答题）
根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？
（简答题）
什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
（判断题）
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
（简答题）
什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
（简答题）
典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
（简答题）
简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
