（单选题）
鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于（）。
A鼓泡式蚀刻液的酸性更强
B鼓泡式蚀刻通入空气
C鼓泡式蚀刻液的酸性更强
D鼓泡式蚀刻通入氧气
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
浸泡式蚀刻通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液。
（填空题）
鼓泡式反应器是（）的酶催化反应中常用的一种反应器。
（判断题）
一般在蚀刻操作中蚀刻和再生是同时进行的。
（判断题）
酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。
（填空题）
晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。
（判断题）
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（判断题）
湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的，腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。
（填空题）
多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用（）的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。
（填空题）
喷淋蚀刻的传送方式有（）和垂直传送方式。
