（填空题）
硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
（判断题）
表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。
（填空题）
列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
（判断题）
CD是指硅片上的最小特征尺寸。
（判断题）
当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。
（简答题）
为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？
（判断题）
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
（判断题）
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
（简答题）
硅片研磨及清洗后腐蚀的方法有哪些？
