硅片热不均匀的因素三个因素造成硅片的热不均匀问题(硅片边缘温度比中心低):
圆片边缘接收的热辐射比圆片中心少
圆片边缘的热损失比圆片中心大
气流对圆片边缘的冷却效果比圆片中心好
边缘效应造成的温度梯度通常在几十甚至上百度,不仅导致热处理工艺的不均匀,且可能造成滑移等缺陷和硅片的翘曲。
(简答题)
对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?
正确答案
答案解析
略
相似试题
(简答题)
简述RTP设备的工作原理,相对于传统高温炉管它有什么优势?
(简答题)
简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
(填空题)
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(填空题)
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(判断题)
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(简答题)
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(单选题)
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(判断题)
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(填空题)
如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大于3.0倍,其长度小于1.5倍或大于6.0倍,判引线键合()。