(判断题)
各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向)以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
(简答题)
描述各同向性和各向异性刻蚀剖面,以及在每一种剖面中哪一种是希望的哪一种是不希望的?
(填空题)
刻蚀剖面指的是(),有两种基本的刻蚀剖面()刻蚀剖面和()刻蚀剖面。
(填空题)
销被横向剖切时()剖面线,沿轴线剖切时()剖面线。
(填空题)
在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是()、()和()。
(单选题)
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()。
(填空题)
微细加工工艺方法主要有:(),光刻加工,体刻蚀加工技术,面刻蚀加工技术,LIGA技术,()和()。
(填空题)
荷载横向分布影响线的计算方法主要有:()、偏心压力法、铰接板法、比拟正交异性板法。
(判断题)
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
(填空题)
晶圆制备的九个工艺步骤分别是()、整型、()、磨片倒角、刻蚀、()、清洗、检查和包装。