（单选题）
铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为（）。
A5~10nm
B20~30nm
C50~80nm
D100~200nm
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。
（单选题）
请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。
（单选题）
请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。
（简答题）
请总结平板件和导线的焊接要点，并将一片铝片与铜导线锡焊在一起。
（单选题）
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
（单选题）
危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。
（多选题）
为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。
（单选题）
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
（单选题）
（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。
