（多选题）
在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A均匀性
B表面平整度
C自由应力
D纯净度
E电容
正确答案
答案解析
略
相似试题
（多选题）
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
（单选题）
（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。
（单选题）
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。
（单选题）
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。
（单选题）
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
（单选题）
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
（多选题）
在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
（单选题）
下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。
（单选题）
二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。
