ab段为无光放电区；bc段为汤生放电；c点为放电的着火点，cd段为前期辉光放电；de段为正常辉光放电区ef段为反常辉光放电；fg段为电弧放电。
正常辉光放电区—de段，电流的增加与电压无关，只与阴极上产生辉光的表面积有关。在这个区域内，阴极的有效放电面积随电流增加而增大，而阴极有效放电区内的电流密度保持恒定。
在这一阶段，导电的粒子数目大大增加，在碰撞过程中转移的能量也足够高，因此会产生明显的辉光，维持辉光放电的电压较低，而且不变。气体击穿之后，电子和正离子来源于电子的碰撞和正离子的轰击使气体电离，即使不存在自然电离源，放电也将继续下去。这种放电方式又称为自持放电。
（简答题）
下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
射频放电与直流放电相比有何优点？
（简答题）
下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。
（简答题）
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
（判断题）
离子源是产生离子的装置。（）
（单选题）
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
（单选题）
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
（单选题）
从离子源引出的是：（）
（单选题）
反应离子腐蚀是（）。
（填空题）
离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。
