（1）反应气体从腔体入口向晶圆片附近输运；
（2）这些气体反应生成系列次生分子；
（3）这些反应物输运到晶圆片表面；
（4）表面反应释放出硅；
（5）气体副产物解吸附；
（6）副产物离开晶圆片表面的输运；
（7）副产物离开反应器的输运
（简答题）
下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。 
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
（简答题）
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
（简答题）
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
（简答题）
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
（填空题）
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（简答题）
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（简答题）
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（单选题）
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（简答题）
下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
