（判断题）
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
（单选题）
金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
（单选题）
将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。
（判断题）
光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）
（判断题）
干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。（）
（简答题）
简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？
（简答题）
典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程？
（简答题）
什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
（简答题）
粘封工艺中，常用的材料有哪几类？
