把硅片置于气态产生的等离子体，等离子体中的带正电离子物理轰击硅片表面，等离子体中的反应粒子与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。
干法刻蚀用物理和化学方法，可实现各向异性刻蚀，能实现图形的精确转移。干法刻蚀是集成电路刻蚀工艺的主流技术，广泛用于有图形刻蚀、回蚀和部分材料去除工艺。
把硅片置于液体化学试剂，化学腐蚀液与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。湿法刻蚀用化学方法，一般是各向同性刻蚀，不能实现图形的精确转移。湿法刻蚀基本只用于部分材料去除工艺。
（简答题）
简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
（判断题）
干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
（判断题）
与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。
（填空题）
在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
（简答题）
为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？
（简答题）
干法刻蚀有高的还是低的选择比？
（判断题）
高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
（判断题）
在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
（判断题）
对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
