优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制。
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用。
缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
（简答题）
列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。
（简答题）
简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。
（判断题）
干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
（填空题）
在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
（简答题）
干法刻蚀有高的还是低的选择比？
（判断题）
高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
（简答题）
为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？
（判断题）
在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
（填空题）
刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
