（简答题）
为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？
正确答案
传统的RIE系统等离子体离化率最大0.1%，因而需要较多的气体以产生足够的粒子。较高的气压使得粒子碰撞频繁，反应粒子很难进入小尺寸高深宽比图形，反应产物也很难排出。高密度等离子体的离化率达到10%，用于0.25微米以下的工艺。
答案解析
略
相似试题
（判断题）
高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
（判断题）
干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
（简答题）
列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？
（简答题）
简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。
（填空题）
在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
（简答题）
干法刻蚀有高的还是低的选择比？
（填空题）
刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
（判断题）
与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。
（判断题）
大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
