半导体芯片制造工最新试题
（单选题）
半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。
（单选题）
溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
（单选题）
塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。
（单选题）
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
（单选题）
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
（填空题）
白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）。
（简答题）
浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
（简答题）
射频放电与直流放电相比有何优点？
（简答题）
在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。
（多选题）
硅外延生长工艺包括（）。
（填空题）
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
（判断题）
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）
（填空题）
半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.
（单选题）
金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
（判断题）
厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能也就越高，对烧结越有利。（）
（填空题）
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
（填空题）
对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：（）、和（）、（）、（）。
（简答题）
分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
（填空题）
如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。
（判断题）
晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。（）
